來源:網(wǎng)絡(luò)資源 2022-04-25 14:31:00
砷化鎵是一種半導(dǎo)體材料,不是金屬材料。砷化鎵是一種無機(jī)化合物,化學(xué)式為GaAs,為黑灰色固體,熔點(diǎn)1238℃。它在600℃以下能在空氣中穩(wěn)定存在,并且不被非氧化性的酸侵蝕。
1砷化鎵
砷化鎵是一種重要的半導(dǎo)體材料。屬Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體。屬閃鋅礦型晶格結(jié)構(gòu),晶格常數(shù)5.65×10-10m,禁帶寬度1.4電子伏。
砷化鎵于1964年進(jìn)入實(shí)用階段。砷化鎵可以制成電阻率比硅、鍺高3個(gè)數(shù)量級(jí)以上的半絕緣高阻材料,用來制作集成電路襯底、紅外探測器、γ光子探測器等。由于其電子遷移率比硅大5~6倍,故在制作微波器件和高速數(shù)字電路方面得到重要應(yīng)用。用砷化鎵制成的半導(dǎo)體器件具有高頻、高溫、低溫性能好、噪聲小、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)。
此外,還可以用于制作轉(zhuǎn)移器件──體效應(yīng)器件。砷化鎵是半導(dǎo)體材料中,兼具多方面優(yōu)點(diǎn)的材料,但用它制作的晶體三極管的放大倍數(shù)小,導(dǎo)熱性差,不適宜制作大功率器件。雖然砷化鎵具有優(yōu)越的性能,但由于它在高溫下分解,故要生產(chǎn)理想化學(xué)配比的高純的單晶材料,技術(shù)上要求比較高。
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